NaClCsClCO2SiO2金刚石石墨C60晶体结构的特色剖析晶体结构的特色剖析一般会用均摊法来剖析这些晶体的结构特色。均摊法的底子原则是：晶胞恣意方位上的原子假如是被n个晶胞所共有，则每个晶胞只能分得这个原子的1/n。1.氯化钠晶体由下图氯化钠晶体结构模型可得：每个Na+紧邻6个Cl，每个Cl紧邻6个Na（上、下、左、右、前、后），这6个离子构成一个正八面体。设紧邻的Na+与Cl-间的间隔为a,每个Na+与12个Na等间隔紧邻（同层4个、上层4个、基层4个），间隔为一2a。+111由均摊法可得：该晶胞中所具有的Na+数为864，Cl数为112-4，晶824体中Na+数与CI...

  晶体结构的特色剖析一般会用均摊法来剖析这些晶体的结构特色。均摊法的底子原则是：晶胞恣意方位上的原子假如是被n个晶胞所共有，则每个晶胞只能分得这个原子的1/n。1.氯化钠晶体由下图氯化钠晶体结构模型可得：每个Na+紧邻6个Cl，每个Cl紧邻6个Na（上、下、左、右、前、后），这6个离子构成一个正八面体。设紧邻的Na+与Cl-间的间隔为a,每个Na+与12个Na等间隔紧邻（同层4个、上层4个、基层4个），间隔为一2a。+111由均摊法可得：该晶胞中所具有的Na+数为864，Cl数为112-4，晶824体中Na+数与CI-数之比为1:1，则此晶胞中含有4个NaCI结构单元。2.氯化铯晶体每个Cs+紧邻8个CI-，每个Cl-紧邻8个Cs+，这8个离子构成一个正立方体。设紧邻的Cs+与CI-间的间隔为a，则每个Cs+2与6个Cs+等间隔紧邻（上、下、左、右、前、后）。在如下图的晶111•COC1-E十胞中Cs+数为8-12—6-18，CI在晶胞内其数目为8428，晶体中的Cs数与CI数之比为1：1，则此晶胞中含有8个CsCI结构单元。3.干冰每个CO2分子紧邻12个CO2分子（同层4个、上层4个、11基层4个），则此晶胞中的CO2分子数为8—6—4。82

  示—3?分千4.金刚石晶体（晶体硅同）每个原子与个原子紧邻成键，由个原子构成正四面体结构单元，键的C4C5CC-C夹角为10928。晶体中的最小环为六元环，每个C原子被12个六元环共有，（每个C-C键被6个六元环共有用组合法核算一个碳原子所构成的4个键有C42=6种两两相邻的组合，故一个碳原子最多可构成C42

  2=6X2=12个六元环；固定一个键，其他三个键与该键有C31=3种两两相邻的组合，故一个C-C键最多可构成C31

  =6个六元环.由均匀值原理知一个六元环实践具有6X11）1/12=1/2个碳原子，具有6X1/6=1个C-C键.，每个环所具有的C原子数为6-12211具有的c-c键数为661，则C原子数与c-c键数之比为齐1：25.二氧化硅晶体每个Si原子与4个0原子紧邻成键，每个0原子与2个Si原子紧邻成键。晶体中的最小环为十二元环，其间有6个Si原子和6个0原子，含有12个Si-0键；每个Si原子被12个十二元环共有，每个0原子被6个十二元环共有，每个Si-0键被6个十二元环共有；每个十二元环所具有的Si原子数为丄1，具有6122的0原子数为1，具有的Si-0键数为12-2，则Si原子数与0原子数之比为1:61666.石墨晶体在石墨晶体中，层与层之间是以分子间作用力结合，同层之间是C原子与C原子以共价键结组成的平面网状结构，故石墨为混合型晶体或过渡型晶体。在同层结构中，每个C原子与3个C原子紧邻成C-C键，键角为120，其间最小的环为六元环，每个C原子被3个六元环共有，每个C-C键被2个六元一1一1环共有；每个六元环具有的C原子数为62，具有的C-C键数为63，则C原32子数与C-C键数之比为2:3。C60是由60个C原子组成的类似于足球的分子，由欧拉规律可推知该分子中有12个正五边形和20个正六边形。每个C原子与其他3个C原子紧邻成键，构成的总键数为03190因为每个C原子可构成4个键，所以3个键中肯定有一个是双键，则其间的双2，12键数为903=30，90单键数为90360。金刚石晶体中每个C原子和4个C原子构成4个共价键,成为正四面体结构，C原子与碳碳键个数比为1：2,最小环由6个C原子组成，每个C原子被12个最小环所共用；均匀每个最小环含有1/2个C原子。每个C原子被4个碳碳键所共用；每个碳碳键含有2个C原子，均匀每个碳碳键含有1/2个C原子。故均匀每个最小环含有1个碳碳键SiO2晶体中每个Si原子周围吸引着4个O原子，每个O原子周围吸引着2个Si原子，Si、O原子个数比为1：2,Si原子与Si—O键个数比为1:4,O原子与Si—O键个数比为1：2,最小环由12个原子组成。最小环由6个Si原子组成，每个Si原子被12个最小环所共用；均匀每个最小环含有1/2个Si原子。故均匀每个最小环含有2个Si—O键,Si原子与Si—O键个数比为1：4为什么金刚石中每个碳原子被12个环共用每一个碳原子连接了4个键，你能够看一下，两个键能够往上和下各成2个环。所以这四个键可分为4*3/2=6种那么就能够算出12个环弥补下述内容同享：金刚石晶体中每个C原子和4个C原子构成4个共价键,成为正四面体结构，C原子与碳碳键个数比为1：2，最小环由6个C原子组成，每个C原子被12个最小环所共用；均匀每个最小环含有1/2个C原子。每个C原子被4个碳碳键所共用；每个碳碳键含有2个C原子，均匀每个碳碳键含有1/2个C原子。故均匀每个最小环含有1个碳碳键晶体硅与金刚石共同SiO2晶体中每个Si原子周围吸引着4个O原子，每个O原子周围吸引着2个Si原子，Si、O原子个数比为1：2，Si原子与Si—O键个数比为1：4，O原子与Si—O键个数比为1：2，最小环由12个原子组成。最小环由6个Si原子组成，每个Si原子被12个最小环所共用；均匀每个最小环含有1/2个Si原子。故均匀每个最小环含有2个Si—O键金刚石晶体每个碳原子为什么被12个六元环共用呢？十二个。金刚石中一个碳原子（记为碳1）能够和别的4个碳原子（记为碳2,碳3,碳4）成键，只考虑这5个碳原子之间每三个碳原子能够成一个面（三角形），有C（5,3）=10个面,除掉别的那4个碳原子相互之间的C（4,3）=4个面，就还剩余6个面（三角形）•看一下模型就会知道，这6个三角形，每个都三角形被2个不同的最小六元环（椅式）共用,且这6*2=12个六元环各不相同•假如你找不出两个不同的六元环，能够找到上面所说的三角形，比方三角形（碳1,碳2,碳3）而且以过碳1而且平行于直线）为转轴，将这个三角形别离向上向下旋转一个最小的锐角，就能够找到椅式六元环大致地点的面。极点必选，从另个选个，=64C2C42(1)金刚石由碳原子构成正四面体的单元。每个碳原子等间隔紧邻其它4个碳原子。键角为_109?28J。金刚石中由共价键构成的最小环有6个碳原子，但6个碳原子不都在一个平面上。(2)每个环均匀具有：1个C—C键，1/2个C原子。1个小环6个C—C键，1个C—C键被6个小环共用。(3)晶体中每个C原子被12个六元环所共有，每个C原子占有2个C—C键。金刚石晶体①金刚石中每个C原子以sp3杂化，别离与4个相邻的C原子构成4个。键，故键角为109°28；每个C原子的配位数为4;②每个C原子均可与相邻的4个C构成实心的正四面体，向空间无限延伸得到立体网状的金刚石晶体，在一个小正四面体中均匀含有14XI/4=2个碳原子；③在金刚石中最小的环是六元环，1个环中均匀含有6X1/12=1/2个C原子，含C-C键数为6X1/6=1;④金刚石的晶胞中含有C原子为8个，内含4个小正四面体，含有C-C键数为16二氧化硅晶体①二氧化硅中Si原子均以sp3杂化，别离与4个0原子成键,每个0原子与2个Si原子成键；②晶体中的最小环为十二元环，其间有6个Si原子和6个0原子，含有12个Si-0键；每个Si原子被12个十二元环共有，每个0原子被6个十二元环共有，每个Si-0键被6个十二元环共有；每个十二元环所具有的Si原子数为6X176=1，具有的0原子数为6X1/6=1，具有的Si-0键数为12X1/6=2，则Si原子数与0原子数之比为1:2。石墨石墨的层状结构(1)石墨中C原子以sp2杂化；(2)石墨晶体中最小环为(6)元环，含有C(2)个，C-C键为(3)；(3)石墨分层，层间为范德华力，硬度小，可导电；（4）石墨中r（C-C）比金刚石中r（C-C）短17.二氧化硅晶体是立体的网状结构。其晶体模型如下图所示仔细调查晶体模型并答复下列问题：（1）二氧化硅晶体中最小的环为12元环。（2）每个硅原子为12个最小环共有。（3）每个最小环均匀具有1个氧原子较石墨和金刚石的晶体结构、结合键和功能。答：金刚石晶体结构为带四面体空地的FCC，碳原子坐落FCC点阵的结合点和四个不相邻的四面体空地方位，碳原子之间都由共价键结合，因而金刚石硬度高，结构细密。石墨晶体结构为简略六方点阵，碳原子坐落点阵结点上，同层之间由共价键结合，邻层之间由范德华力结合，因而石墨安排稀松，有必定的导电性，常用作润滑剂。1.单晶体：假如一个物体便是一个完好的晶体，这样的晶体~单晶体.水晶、雪花、食盐小颗粒、单晶硅、晶须2多晶体：假如整个物体是由许多乱七八糟地摆放着的小晶体组成的，这样的物体~多晶体,其间的小晶体叫做晶粒，其鸿沟称为晶界，多晶体有必定的熔点。各向同性金属及合金等.3非晶体：没有规矩的几许形状，原子在三维空间内不规矩摆放。长程无序，各向同性。常见的非晶体有：玻璃、蜂蜡、松香、沥青、橡胶等.分散定理单位时间内经过垂直于分散方向的单位截面积的物质量（分散通量）与该物质在该面积处的浓度梯度成正比。为分散通量，表明分散物质经过单位截面的流量，dC/dx为沿x方向的浓度梯度；D为原子的分散系数。负号表明分散由高浓度向低浓度方向进行。层错能金属结构在堆垛时，没有严厉的依照堆垛次序，构成堆垛层错。层错是一种晶格缺点，它破坏了晶体的周期完好性，引起能量升高，一般把单位面积层错所添加的能量称为层错能。层错能呈现时仅表现在改变了原子的次近邻联络，几乎不发生点阵畸变。所以，层错能相关于晶界能而言是比较小的。层错能越小的金属，贝y层错呈现的几率越大。在层错能较高的金属如铝及铝合金、纯铁、铁素体钢(bcc)等热加工时，易发生动态回复，因为这些金属中易发生位错的交滑移及攀移。而奥氏体钢(fee)、镁及其合金等因为层错能低，不发生位错的交滑移，所以动态再结晶成为动态软化的首要办法。面心立方的密排面晶体中原子的堆垛方面心立方晶格的金属：铝(Al)＞铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、银(Ag)、丫-铁(丫-Fe,912C〜1394C)式n面心立方：密排面为{111}ABCABCABC…点阵常数与原子半径R的联络晶胞棱边的长度称为点阵常数或晶格常数。对立方晶系，a=b=c，点阵常数用a表明即可;对六方晶系，a1=a2=a3?c需要用a和c两个点阵常数来表明晶胞的巨细。1.面心立方:面心立方晶格(1)晶胞中的原子数面心立方晶体每个角上的原子只要1/8个归于这个晶胞，六个面中心的原子只要1/2归于这个晶胞，所以面心立方晶胞中的原子数为8*1/8+1/2x6=4.(2)原子半径在面心立方晶胞中，只要沿着晶胞六个面的对角线方向原子是相互触摸的，面对角线个原子半径的长度持平，所以面心立方晶胞的原子半径r■、扭£4(3)配位数所谓配位数是指晶体结构中与任一个原子最近的原子得数目.面心立方晶格的配位数位12.(4)细密度面心立方晶格的细密度为：-------弐-----■-----------------------■*0.74(5)原子密排面和密排排方向：密排面{111};密排方向：＜110＞(6)原子堆垛办法原子面的空地是有三个原子所构成的，原子摆放较为严密，原子堆垛办法为abcabc.半导体材料的电阻率界于金属与在答应电压下不导电的材料之间的材料。这种材料在某个温度范围内随温度上升而添加电荷载流子的浓度，电阻率下降半导体(semiconductor)，指常温下导电功能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上存在广泛的运用。。半导体材料的制作为满意量产上的需求，半导体的电性有必要是可猜测而且安稳的，因而包含掺杂物的纯度以及半导体晶格结构的质量都有必要严厉要求。常见的质量问题包含晶格的错位(dislocation)、双晶面(twins)，或是仓库过错(stackingfault)都会影响半导体材料的特性。关于一个半导体元件而言，材料晶格的缺点一般是影响元件功能的主因。现在用来生长高纯度单晶半导体材料最常见的办法称为裘可拉斯基制程(Czochralskiprocess)。这种制程将一个单晶的晶种(seed)放入溶解的同原料液体中，再以旋转的办法慢慢向上拉起。在晶种被拉起时，溶质将会沿着固体和液体的接口固化，而旋转则可让溶质的温度均匀。密排面和密排方向不同晶体结构中不同晶面、不同晶向上原子摆放办法和摆放密度不一样。在体心立方晶格中，原子密度最大的晶面为{110},称为密排面；原子密度最大的晶向为＜111＞,称为密排方向。在面心立方晶格中，密排面为{111},密排方向为＜110＞。密排六方，原子密排面和密排排方向：密排面：{0001};密排方向：[1120]

  本文档为【NaClCsClCO2SiO2金刚石石墨C60晶体结构的特色剖析】，请运用软件OFFICE或WPS软件翻开。著作中的文字与图均能够修正和修正， 图片更改请在著作中右键图片并替换，文字修正请直接点击文字进行修正，也能够新增和删去文档中的内容。

  [版权声明] 本站一切材料为用户共享发生，若发现您的权力被损害，请联络客服邮件，咱们赶快处理。

  本著作所展现的图片、画像、字体、音乐的版权或许需版权方额定授权，请慎重运用。