硅是一种最为普遍的使用的半导体材料。硅的原子序数为14，具有4个价电子。硅通过共价键形成的晶格结构，使得它具备比较好的导电性能。在纯净的硅晶体中，缺乏杂质的硅被称为本征半导体。本征硅材料具备较高的电阻率，并且经过控制硅晶体的掺杂能轻松实现半导体器件中的p型和n型材料。

  另一种常见的半导体材料是二氧化硅。二氧化硅具有化学稳定性高、机械性能强和电属性稳定等优点，因此大范围的应用于制造半导体器件中的绝缘层和隔离层。在集成电路制造中，二氧化硅常用于制造绝缘层、介电层和衬底等部分。此外，二氧化硅还能够适用于制造MEMS（微电子机械系统）器件中的微结构。

  除了硅和二氧化硅外，还存在许多具有半导体性质的材料。以下是一些其他常见的半导体材料：

  碲化铟（Indium gallium arsenide，InGaAs）：碲化铟是一种III-V族半导体，具有较高的迁移率和半导体特性。它在

  碳化硅（Silicon carbide，SiC）：碳化硅是一种宽禁带半导体材料，具有高温、高电压和高功率应用的优势。它可以用来制造功率电子器件和高频电子器件。

  （Gallium nitride，GaN）：氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有高电子流动性和良好的热特性。它在蓝光

  磷化镓（Gallium phosphide，GaP）：磷化镓是一种III-V族半导体材料，具有较高的光电转化效率。它在光伏器件和光电显示器件中有着重要的应用。

  砷化镓（Gallium arsenide，GaAs）：砷化镓是一种III-V族半导体材料，具有高迁移率和高电子流速度。它在高频电子器件和

  锗（Germanium，Ge）：锗是一种比硅导电性差、电阻率较高的半导体材料。它主要用于早期电子器件和光电器件。

  monide，InSb）：锑化铟是一种III-V族半导体材料，具有高载流子迁移率和较高的半导体特性。它在高频电子器件和中有广泛应用。

  锗硒化铜（Copper indium gallium selenide，CIGS）：锗硒化铜是一种多元化合物半导体材料，主要用来制造太阳能电池。

  以上所列举的几种半导体材料仅仅是其中的一部分，在实际应用中还有许多别的类型的半导体材料。

  接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不一样功能的

  ）19、 RIE Al、AlN、Ti、TiN （干法刻蚀金属，包括干法刻蚀铝、干法刻蚀氮化

  从发现到发展，从使用到创新，拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初，就曾出现过点接触矿石检波器。1930年，

  的一种，主要特征是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种

  。碳有效地从 SiO2 分子中“拉”出氧，从而将 SiO2 化学还原为大约 98% 的纯

  好，硬度大（莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级））、导热性能优良、高温抗

  行业中可以用作器件的保护层、钝化层、隔离层等。 PECVD即等离子体增强化学的气相沉积法是借助微波或射频

  之间稳定性的刻蚀选择性 /

  【中文浓缩】SpaceX星舰20鼻锥正在安装隔热瓦，助推器4加紧安装，发射台面准备吊装

  【中文浓缩】SpaceX将为星舰助推器3安装两台猛禽引擎，大吊机终于再次抬起

  【特效中字】SpaceX星舰轨道发射架第八段之上的“封顶段”长什么样子？

  【中文浓缩】SpaceX星舰B2-1测试罐运回厂区，星舰22分段进入中机库2