（Inversion Charge），来自半导体外表的反型层，宽度一般大约10nm量级，紧邻绝缘层外表；

  （Interface Charge），来自半导体与绝缘层界面的悬挂键、不饱和化学键等，会在半导体禁带中发生缺点能级，一般带正电（工艺中一般经过氢环境退火来修正）；

  （Fixed Charge），以二氧化硅来说，一般来自于成长进程中氧的缺失构成的空位，在氧化硅成长之初易呈现，所以一般在纳米标准的范围内，同样带正电；

  （Mobile Ionic Charge），与出产的根本工艺环境的洁净度有联系，一般为钠离子或许钾离子等，带正电。

  之外，其他电荷根本来自于工艺环境和资料性质等客观因素，应在制备进程中尽量优化，下面大略剖析保持

  由于推导进程较为繁琐，这儿只整理剖析的逻辑，见右图，感兴趣的能够试着推导一下：

  2.依据泊松方程，电场求解有必要了解到电势散布，电势散布有必要了解到电荷浓度散布；

  由于没有具体推导，这儿漏掉了关于“强反型”的界说，做个弥补阐明：正常的状况下，只需能带曲折使得费米能级跳过本征能级，即完成了反型，这样的一种状况被称为“弱反型”，表现为

  综上，得到与氧化硅相关的电荷散布，电荷除以电容，即得到保持这些电荷所需求的电压；再加上前面所剖析的栅极和半导体之间的功函数差，以及“强反型”的能带曲折

  阈值电压表达式右边第一项为栅极和半导体之间的功函数差，第二项为“强反型”的能带曲折

  ，氧化硅电容需求施加的电压，第四项为氧化硅电容外表及体内固有电荷充电构成的电压。

  举个比如，关于P型硅，掺杂浓度为Na=5e17cm-3，均匀掺杂；栅极为N型多晶硅，掺杂浓度为Npoly=1e20cm-3，栅氧厚度为d=120nm。

  硅的本征浓度为1.45e10cm-3，相对介电常数为11.5；不考虑工艺引进的缺点或许移动电荷，核算得到