导言 二氧化硅膜的性质 二氧化硅膜的用处 热氧化原理 氧化设备 氧化膜的质量操控 氧化工艺模拟

  二氧化硅(SiO2)是一种绝缘介质。它在半导体器材中起着十分重要的作用。硅暴露在空气中,即便在室温条件下,其外表也能成长一层4nm左右的氧化膜。这一层氧化膜结构细密,能避免硅外表持续被氧化,且具有极安稳的化学性质和绝缘性质。正因为二氧化硅膜的这些特性,才引起人们的广泛重视,并在半导体工艺中得到愈来愈遍及的使用。

  (2)折射率折射率是表明二氧化硅光学特性的参数。(3)电阻率电阻率是表明二氧化硅电学功能的重要参数。(4)相对介电常数相对介电常数是表明二氧化硅膜电容功能的一个重要参数。

  (5)介电强度介电强度是衡量资料耐压才能巨细的,单位为V/cm。1)跟着氢***酸浓度的添加,二氧化硅的腐蚀速率也添加,其联系曲线)跟着腐蚀反响温度的添加,腐蚀速率也加速,其曲线 二氧化硅的腐蚀速率与氢***酸浓度的联系

  1)二氧化硅层要有满足的厚度,以保证杂质在其内部分散时能到达抱负的掩蔽作用。2)所选杂质在二氧化硅中的分散系数要比在硅中的分散系数小得多。(1)MOS器材中的栅极资料在MOS管中,常常以二氧化硅膜作为栅极,是因为二氧化硅层的电阻率高,介电强度大,简直不存在漏电流。